mos晶体管gs两端的电阻有什么用？当gs之间存在一定程度的电压差时，mos晶体管会打开这个电阻，可以在一定程度上降低GS之间的电压，从而增加mos晶体管的抗干扰能力。mos管的三极是什么？mos管通俗易懂的工作原理是什么？别听他们胡说八道，这个电阻的作用是加速Mos的关断，如果不加这个电阻，mos的关断会很慢，这样一会儿mos的内阻会变得很大，会烧坏Mos，另外，这个电阻会加快G级放电，从而缩短mos的关断时间，大大减少产生的热量。
1、怎么区分MOS管的D集S集G集
两尺之下，一尺之上！底部两个脚:G在左边，S在右边，D在上面。板上用的MOS管极性一般都是4楼说的！下面两脚:左边G，右边S，上面D，如图:补充:mos管是金属氧化物半导体场效应晶体管，或者金属绝缘体半导体。MOS晶体管的源漏可以切换，都是在P型背栅中形成的N型区。在大多数情况下，两个区域是相同的，即使两端切换，也不会影响器件的性能。
双极晶体管放大输入电流的微小变化，并输出输出电流的大变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。另一种晶体管叫FET，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于其，其定义为输出电流变化与输入电压变化之比。市面上常见n沟道和P沟道，P沟道常见低压Mos管。
2、mos管的三个极
MOS晶体管的三极分别是栅极G、源极S和漏极D。栅格是由金属丝组成的屏幕状或螺旋形电极。在多极电子管中最靠近阴极的电极具有丝网或螺旋的形状，并被插入电子管的另外两个电极之间，以控制电极的电流强度并改变电子管的性能。漏极在栅极的左侧，源极在栅极的右侧。阳极是MOS管的正端面(负端面的作用是将发射极区的电荷转移到集电极区)。
MOS管1的功能。当无源或有源元件处于截止状态时，MOS管的基极与发射极结的阳极相连。2.当有源元件处于导通状态时，MOS管的漏极与集电极相连；同时，在基极和发射极结之间形成低阻抗路径。3.由于MOS晶体管的输入电阻很大(约1015欧姆)，对负载电流的变化不敏感，即无论外部电源电压如何变化，它都保持关断状态(即开路)。
3、mos管通俗易懂的工作原理是什么?
mos管的工作原理很好理解:自上世纪中叶发明片式MOS(MetalOxideSemiconductor)管以来，其工作原理并没有太大变化(但随着工艺演进，材料和工艺发生了很大变化)。以N型MOS管的四端器件为例:NMOS管的四端分别是D、G、S、B，即漏极、栅极、源极和体端。
当栅极和源极之间的电压差为0时，漏极和源极之间将没有电流前沿(工作在截止区)。当N型MOS管四端器件的栅源电压差小于阈值电压时(工作在亚阈值区)，漏源之间有小电流，与栅源电压成指数关系。当栅源电压大于阈值电压，漏源电压较大时，漏源间电流较大，与栅源电压成平方。如果漏源电压很小，漏源之间有电流，可以认为是电阻。当然，上述漏极端子是人为施加电压的。在实际电路中，当同类型或不同类型的器件串联时，各器件根据基尔霍夫电流定律形成平衡。
当4、mos管GS之间的跨接的电阻到底有什么用
gs之间存在一定程度的电压差时，mos晶体管会导通这个电阻，可以在一定程度上降低gs之间的电压，从而增加mos晶体管的抗干扰能力。别听他们胡说八道。这个电阻的作用是加速Mos的关断。如果不加这个电阻，mos的关断会很慢，这样一会儿mos的内阻会变得很大，会烧坏Mos。另外，这个电阻会加快G级放电，从而缩短mos的关断时间，大大减少产生的热量。
5、mos管三个极分别是什么极?
MOS晶体管的三极分别是栅极(G)、源极(S)和漏极(D)。MOS器件是压控器件，栅极电压用来控制源漏的导通，MOS管和三极管的截止面积:如果NMOS管的栅极电压小于阈值电压，MOS管就相当于两个背靠背的二极管，不导通。NPN晶体管也是一样，如果偏置电压小于阈值电压，则相当于两个背靠背的二极管，不导通。MOS晶体管饱和区介绍:当NMOS的漏极电压比较高的时候，沟道会被夹断，然后即使电压上升，电流也不会再上升，所以叫饱和区。