只给一个60V的条件，只能说参数最高的场管，比如900V20A场管FSW20N90A，应该可以替代目前大部分电瓶车充电器中的场管。我的三极管，场效应管有常用的场效应管参数，大全型号材质引脚使用参数3DJ6NJ低频放大20v 0.35ma 0.1 w 4405/r 95242 e 3 CNMOGDS开关600V11A150W0.362SJ117PMOSGDS音频功放开关400V2A40W2SJ118PMOSGDS高速功放开关140 V8 a 100 w 50/70ns 0.52 SJ 122 pmosgds高速功放开关60v 10a50w 6。
1、用场效应管或三极管做的开关电源功率相比那个大
开关电源的功率与开关晶体管是三极管还是场效应晶体管无关，只与开关变压器和驱动方式有关。变压器都是电磁感应做的，但是变压器的磁芯有一个最大磁通量。当电流足够大时，磁场就不会继续增大，也就是磁饱和。一旦磁饱和，电磁感应就会急剧下降。如果开关电源还在增加驱动电流，对功率没有影响，烧管是必然的。因此，好的开关电源应该设计有过流保护。
相对来说，推挽驱动可以更有效的利用变压器的功率，功率可以做的更大。你的第一个问题，改变电压并不能增加输出功率，因为驱动端已经限制了电流(抗磁饱和)。第二个问题是我开始的。13009的电流比13007大，当然也能容忍更大的电流。第三个问题，开关电源输出的是高频脉冲交流电，电表测得的电压不是真正的有效值(不同电表测得的结果不一样)。经过整流滤波后是直流电，电表测量的是真实的有效电压。奇怪的是12V的灯接30到40伏不烧。
2、谁有三极管场效应管方面的资料啊?
我的晶体管，场效应管有常用的场效应管参数。大全型号材质引脚使用参数3DJ6NJ低频放大20v 0.35ma 0.1 w 4405/r 95242 e 3 CNMOGDS开关600V11A150W0.362SJ117PMOSGDS音频功放开关400V2A40W2SJ118PMOSGDS高速功放开关140 V8 a 100 w 50/70ns 0.52 SJ 122 pmosgds高速功放开关60v 10a50w 60
3、如何辩别场效应管与三极管
区分FET型号和型号，例如IRF…晶体管型号，如国内:3DD，国外:2S…FET有两种命名方法。第一种命名方法与双极晶体管有关。第三个字母J代表结型场效应晶体管，O代表绝缘栅型场效应晶体管。第二个字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；c是n型硅p沟道。比如3DJ6D是结型N沟道场效应晶体管，3DO6C是绝缘栅N沟道场效应晶体管。
4、三极管和场效应管测量
将万用表转到R×100，将红色唱针随意接在一只脚管上，黑色唱针接在另一只脚管上，使第三只脚悬空。如果发现表针有轻微摆动，证明第三根针是格子。为了获得更明显的观察效果，还可以用人体靠近或用手指触摸悬空的脚。只要看到手表的指针出现较大偏转，就说明悬空的那只脚是栅极，另外两只脚分别是源极和漏极。判断理由:JFET的输入电阻大于100MΩ，跨导很高。当栅极开路时，空间电磁场很容易在栅极上感应出一个电压信号，使电子管趋于关断或导通。
5、说下场效应管的管脚
带散热器的FET脚朝上，字朝向自身:左S和右G..这还不清楚吗？中等功率以上的场效应管(带热沉)，其中中间管脚与热沉连接为D；当你拿在手里三脚朝上，字指向自己的时候，右脚是G，那么左脚就是s，任何型号都一样。IRFP260，前面(字对着自己，脚朝下)，GDS从左到右，后面连接D. 2SC5244的金属不是场效应晶体管，是大功率晶体管，日本松下公司生产。
6、60v电瓶车充电器的场效应管型号
电池容量不同，充电器的功率不同，场效应管的参数也不同。即使同样功率的充电器设计不同，对场管的要求也不一样。区别就大了。只给一个60V的条件，只能说参数最高的场管，比如900V20A场管FSW20N90A，应该可以替代目前大部分电瓶车充电器中的场管。
7、做功放要哪种场效应管最好?要求大功率,有比2SK1530/2SJ201和2SK1529…
自己做功放，音质好不好，跟制作人水平有很大关系，跟用什么管关系不大。不同的管道工作状态不同，音色也可能不同，只要设计有针对性的电路，认真调试，很多管道都能产生好的音色。PASS还是世界名机，便宜IR工业现场管理；使用最昂贵的电子管也可能是一个坏的放大器，所以:电路是基础，生产是关键。功放的音质与输出级使用的灯管无关，还与前面的驱动电路有关，驱动电路必须有速度和增益，速度能防止瞬态失真，增益高，反馈后能获得良好的线性度。